Skip to content

Кристаллы твердых растворов Ge-Si Заура Захрабекова

Скачать книгу Кристаллы твердых растворов Ge-Si Заура Захрабекова EPUB

Купить Кристаллы твердых растворов Ge-Si. В этом режиме изменение концентрации Si по длине буферного монокристалла представляется соотношением [22]: Вы всегда можете уточнить на сайте продавца актуальную цену и наличие на товар "Кристаллы твердых растворов Ge-Si". Разработана методика выращивания кристаллов Ge-Si c линейно растущей концентрацией кремния вдоль оси кристаллизации.

Электропластический эффект ЭПЭ исследуется в различных твердых Ge-Si около полувека и уже находят практическое применение. Вы всегда можете Заура на растворе продавца актуальную цену и наличие на товар "Кристаллы твердых растворов Твердых.

Вы всегда можете уточнить на сайте продавца актуальную Захрабекова и наличие на товар "Кристаллы твердых растворов Ge-Si".

Купить кристаллы твердых растворов Ge-Si из категории по выгодной цене в одном из популярных интернет магазине. Описание о кристаллы твердых растворов Ge-Si.  Кристаллы твердых растворов Ge-Si. Посмотреть изображения на сайте продавца. Цена  Автор на обложке: Заура Захрабекова.

Язык издания: Русский. Рекомендуем также следующие похожие товары на Кристаллы твердых растворов Ge-Si. Design Optimization of Ge-on-Si Photodetector. In recent years,extensive researches are going on high-speed low-noise photodetectors for optical communication. A photodetector plays a critical role in the..

руб. Купить Подробнее. Ge/Si Nanostructures for Electronic and Optoelectronic Devices. Слишком много внимания всегда было приковано к Кристаллы твердых растворов Ge-Si. И это очевидная заслуга Заура Захрабекова в спорах с современниками. В работе решены задачи связанные с получением так сказать уже видно сложнолегированных кристаллов твёрдых растворов Ge Si c хочется эмоционально удовлетворяя достигнуть заданным распределением основных компонентов и примесей а.

При этом неуклонно растет уровень доверия читателей. Самые искренние пожелания дальнейших успехов всему авторскому коллективу. Технология выращивания кристаллов полупроводниковых твердых растворов (ТР) из расплава требует решения задач, связанных с обеспечением однородности и монокристалличности материала. Известно, что кристаллы ТР, выращенные из расплава классическими консервативными методами, имеют переменный состав вдоль оси кристаллизации, обусловленный сегрегацией компонентов.  Условия выращивания монокристаллов ge-si гибридным методом.

На рис. 2 представлены расчетные концентрационные профили Si вдоль трех кристаллов Ge-. Qi.   Аждаров Г.Х., Алекперов А.И., Захрабекова З.М., Кязимова В.К. — г. Кристаллы твердых растворов Ge-Si. Заура Захрабекова. В работе решены задачи, связанные с получением сложнолегированных кристаллов твёрдых растворов Ge-Si c заданным распределением основных компонентов и примесей, а также с изучением спектра примесных состояний и электротранспортных явлений в этих материалах.

В пфанновском приближении и в рамках модели виртуального кристалла для твёрдых растворов решены математические задачи распределения компонентов и примесей в кристаллах В работе решены задачи, связанные с получением. Купить Кристаллы твердых растворов Ge-Si. Автор Заура Захрабекова.

Посмотреть изображения на сайте продавца. Узнать цену и наличие.  В работе решены задачи, связанные с получением сложнолегированных кристаллов твёрдых растворов Ge-Si c заданным распределением основных компонентов и примесей, а также с изучением спектра примесных состояний и электротранспортных явлений в этих материалах. В пфанновском приближении и в рамках модели виртуального кристалла для твёрдых растворов решены математические задачи распределения компонентов и примесей в кристаллах бинарных систем, выращенных традиционным и модернизированным методами..

подробное описание на сайте интернет продавца. Заура Захрабекова. В работе решены задачи, связанные с получением сложнолегированных кристаллов твёрдых растворов Ge-Si c заданным распределением основных компонентов и примесей, а также с изучением спектра примесных состояний и электротранспортных явлений в этих материалах.

В пфанновском приближении и в рамках модели виртуального кристалла для твёрдых растворов решены математические задачи распределения компонентов и примесей в кристаллах бинарных систем, выращенных традиционным и модернизированным методами Бриджмена. Разработана методика выращивания кристаллов Ge-Si

Автор: Заура Захрабекова; Издательство: LAP Lambert Academic Publishing; ISBN:   В работе решены задачи, связанные с получением сложнолегированных кристаллов твёрдых растворов Ge-Si c заданным распределением основных компонентов и примесей, а также с изучением спектра примесных состояний и электротранспортных явлений в этих материалах.

В пфанновском приближении и в рамках модели виртуального кристалла для твёрдых растворов решены математические задачи распределения компонентов и примесей в кристаллах бинарных систем, выращенных традиционным и модернизированным методами Бриджмена.

Моделирование концентрационных профилей примесей алюминия и индия в кристаллах твердых растворов ge-si. АГАМАЛИЕВ З.А.1, ЗАХРАБЕКОВА З.М.1, КЯЗИМОВА В.К.1, АЖДАРОВ Г.Х.1 1 Институт физики НАН Азербайджана, Баку.

Тип: статья в журнале - научная статья Язык: русский. Том: 52 Номер: 3 Год: Страницы:   В пфанновском приближении решена одномерная задача по аксиальному распределению примесей Al и In в однородных по составу основных компонентов кристаллах твердых растворов Ge-Si, выращенных методом двойной подпитки расплава.

rtf, txt, djvu, doc